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CIS(CMOS Image Sensor)的TSV封装工艺是属于TSV狭义概念的硅通孔工艺,通过硅穿孔将上下线路连通达成目的,还没有上升到3D集成的高度,与行业内SiP所讲的TSV系统集成的概念有所区别。但CIS封装是目前一个重要的封测工艺组成部分
查看详情SiP的开发周期可以更短,加速产品的上市时间,这也是SiP产品能够被客户接受的重要原因之一
查看详情SiP技术在20世纪90年代被提出,二十多年来已经被业内接受并蓬勃发展,在未来可预期时间内依然具有较大的发展空间。
查看详情相比倒装封装技术,扇出型封装表面积更小、没有基板与中介层,降低厚度、管脚数密度增加、较低的热阻抗、更好的电气性能以及更高潜力的系统级封装及3D整合能力,能够更好满足终端市场对产品效能和体积的需求。
查看详情SiP是超越摩尔定律下的重要实现路径。
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