砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵

超越摩尔：光学、射频、功率等模拟IC持续发展

第三代半导体适应更多应用场景。数字电路追求运算速度与成本，多采用CMOS工艺，多年来一直沿着摩尔定律发展，不断采用地更高效率的算法来处理数字信号，或者利用新工艺提高集成度降低成本。而过高的工艺节点技术往往不利于实现模拟IC实现低失真和高信噪比或者输出高电压或者大电流来驱动其他元件的要求，因此模拟IC对节点演进需求相对较低远大于数字IC。模拟芯片的生命周期也较长，一般长达10年及以上，如仙童公司在1968年推出的运放μA741卖了近五十年还有客户在用。

。在高频领域，SiGe工艺、GaAs工艺和SOI工艺还可以与Bipolar和BiCMOS工艺结合，实现更优异的性能。而在功率领域，SOI工艺和BCD（BiCMOS基础上集成DMOS等功率器件）工艺也有更好的表现。模拟IC应用广泛，使用环节也各不相同，因此制造工艺也会相应变化。

砷化镓（GaAs）：无线通信核心材料，受益5G大趋势

基带和射频模块是完成3/4/5G蜂窝通讯功能的核心部件。射频模块一般由收发器和前端模组（PA、Switch、Filter）组成。其中砷化镓目前已经成为PA和Switch的主流材料。

<figure data-size="normal" style="margin:1.4em 0px;color:#121212;font-family:-apple-system, BlinkMacSystemFont, " font-size:medium;white-space:normal;background-color:#ffffff;"="">免责声明 | 部分素材源自网络，转载仅作为行业分享交流，不代表本司观点，版权归原作者所有。如涉侵权，请联系我们处理。另外，如若转载本文，请标明出处。

如果您对这篇文章感兴趣，请立即联系我们